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賢集網(wǎng)電子元器件頻道訊：半導(dǎo)體存儲器芯片按照讀寫功能可分為隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）和只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）兩大類。RAM可讀可寫，斷電時信息會丟失；ROM中的內(nèi)容只能讀出，不能寫入，信息可永久保存，不會因為斷電而丟失。






隨機讀寫存儲器






目前廣泛使用的半導(dǎo)體隨機讀寫存儲器是MOS半導(dǎo)體存儲器，按保存數(shù)據(jù)的機理分為靜態(tài)存儲器（Static RAM，SRAM）和動態(tài)存儲器（Dynamic RAM，DRAM）。






1、靜態(tài)存儲器（SRAM）






利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態(tài)存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。






2、動態(tài)存儲器（DRAM）






利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態(tài)存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復(fù)進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。